功能描述：MOSFET N-CH 250V SOT-223

制造商：ixys integrated circuits division

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：250V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：-

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

Vgs（最大值）：±15V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：230pF @ 20V

FET 功能：耗尽模式

功率耗散（最大值）：1.8W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.5 欧姆 @ 300mA， 0V

工作温度：-55°C ~ 110°C（TA）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SOT-223

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

标准包装：1

CPC3909CTR

CPC3909ZTR

CPC3960ZTR

CPC3980ZTR

CPC3982TTR

CPC40055ST

CPC5001G

CPC5001GSTR

CPC5002G

CPC5002GSTR